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“10.1109/iedm.2015.7409753” 的检索结果 (精准检索)

题目	作者	年份	DOI	执行操作
1.5×10−9 Ωcm2 Contact resistivity on highly doped Si:P using Ge pre-amorphization and Ti silicidation 2015 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 💎 10 分	H. Yu, M. Schaekers, E. Rosseel, A. Peter, J.-G. Lee, W.-B. Song, S. Demuynck, T. Chiarella, J-A. Ragnarsson, S. Kubicek, J. Everaert, N. Horiguchi, K. Barla, D. Kim, N. Collaert, A. V.-Y. Thean, K. De Meyer	2015	10.1109/iedm.2015.7409753	付费解锁 (10分)

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