|
Ti and NiPt/Ti liner silicide contacts for advanced technologies
2016 IEEE Symposium on VLSI Technology
💎 10 分
|
P. Adusumilli, E. Alptekin, M. Raymond, N. Breil, F. Chafik, C. Lavoie, D. Ferrer, S. Jain, V. Kamineni, A. Ozcan, S. Allen, J. J. An, V. Basker, R. Bolam, H. Bu, J. Cai, J. Demarest, B. Doris, E. Engbrecht, S. Fan, J. Fronheiser, O. Gluschenkov, D. Guo, B. Haran, D. Hilscher, H. Jagannathan, D. Kang, Y. Ke, J. Kim, S. Koswatta, A. Kumar, A. Labonte, R. Lallement, W. Lee, Y. Lee, J. Li, C-H Lin, B. Liu, Z. Liu, N. Loubet, N. Makela, S. Mochizuki, B. Morgenfeld, S. Narasimha, T. Nesheiwat, H. Niimi, C. Niu, M. Oh, C. Park, R. Ramachandran, J. Rice, V. Sardesai, J. Shearer, C. Sheraw, C. Tran, G. Tsutsui, H. Utomo, K. Wong, R. Xie, T. Yamashita, Y. Yan, C. Yeh, M. Yu, N. Zamdmer, N. Zhan, B. Zhang, V. Paruchuri, C. Goldberg, W. Kleemeier, S. Stiffler, R. Divakaruni, W. Henson
|
2016 |
10.1109/vlsit.2016.7573382
|
付费解锁 (10分)
|