Thermally-activated failure mechanisms of 0.25 \ \mu \mathrm{m}$ RF AIGaN/GaN HEMTs submitted to long-term life tests

平台已收录预计检索 <10 秒

查看已审核书目、规范引用与获取指引。下载与积分规则登录后查看。

文献信息

题目: Thermally-activated failure mechanisms of 0.25 \ \mu \mathrm{m}$ RF AIGaN/GaN HEMTs submitted to long-term life tests
作者: Zhan Gao, Francesca Chiocchetta, Fabiana Rampazzo, Carlo De Santi, Mirko Fornasier, Gaudenzio Meneghesso, Matteo Meneghini, Enrico Zanoni
发表年份: 2023
期刊 / 来源: 2023 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS)
出版社: IEEE
DOI: 10.1109/irps48203.2023.10118131
文献类型: 学术文献
平台记录更新: 2026-09-03 22:18:37

本页由 Scihuhuan.com 学术互换提供文献检索、引用与获取指引；论文版权和出版身份归原出版方。